北京大学信息科学技术学科
考研真题
一、名词解释
受主、雪崩击穿、异质结、费米钉扎(还有两个记不清了,历年真题中可以找到)
二、半导体A、B的电导率-温度曲线如下
1.说明A、B半导体的类型,并说明原因
2.A、B分别产生如下曲线的机制是什么
三、题干给出了两种材料(n型Eg较窄,p型Eg较宽)的能带图,画出这两种材料形成异质结后在如下情形的能带图
1.无外加偏压
2.施加反向偏压Va
四、p-mos管(n型衬底)中,Wm
SiO2层中存在以密度为常数ρ的电荷分布
1.写出平带电压表达式
2.画出平带时的能带图
五、PN结P型区及N型区均均匀掺杂,浓度为Na,Nd
1.算出施加正向偏压Va时p区边界少子浓度
2.画出正偏时I-V曲线
3. Na,Nd很小时,I-V曲线与理想曲线有什么区别
六、同时在Si中掺入Na,Nd,Na>Nd
1.写出电荷守恒表达式
2.写出低温区Ef与T的关系
3.示意在能带图中画出Ef随T的变化曲线
经验指导
1、零基础复习阶段(6月前)
本阶段根据考研科目,选择适当的参考教材,有目的地把教材过一遍,全面熟悉教材,适当扩展知识面,熟悉专业课各科的经典教材。这个期间非常痛苦,要尽量避免钻牛角尖,遇到实在不容易理解的内容,先跳过去,要把握全局。系统掌握本专业理论知识。对各门课程有个系统性的了解,弄清每本书的章节分布情况,内在逻辑结构,重点章节所在等,但不要求记住,最终基本达到清华本科水平。
2、基础复习阶段(6-8月)
本阶段要求考生熟读教材,攻克重难点,全面掌握每本教材的知识点,结合真题找出重点内容进行总结,并有相配套的专业课知识点笔记,进行深入复习,加强知识点的前后联系,建立整体框架结构,分清重难点,对重难点基本掌握。同时多练习相关参考书目课后习题、习题册,提高自己快速解答能力,熟悉历年真题,弄清考试形式、题型设置和难易程度等内容。要求吃透参考书内容,做到准确定位,事无巨细地对涉及到的各类知识点进行地毯式的复习,夯实基础,训练思维,掌握一些基本概念和基本模型。
3、强化提高阶段(9月-11月)
本阶段要求考生将知识积累内化成自己的东西,动手做真题,形成答题模式,注意遗漏的知识点和答题模式;总结并熟记所有重点知识点,包括重点概念、理论和模型等,查漏补缺,回归教材。